DC-DC降压

型号	封装	输入电压范围	输出电压范围	输出电流范围	输出功率范围	驱动方式	效率	工作模式/频率	工作架构	下载
OC2006	ESOP8	8～150V	≤Vi-4V	≤1.5A	15W	内置MOS	最大95%	固定频率140K	浮地架构
OC2004	ESOP8	8～100V	≤Vi-4V	≤2A	20W	内置MOS	最大95%	固定频率140K	浮地架构
OCE200	ESOP8	8～150V	≤Vi-4V	≤1.5A	15W	内置MOS	最大95%	固定频率140K	浮地架构
OC5801L	SOP8	8～150V	≤Vi-4V	≤10A	120W	外置MOS	最大96%	固定频率140K	浮地架构
OC5806L	ESOP8	8～150V	≤Vi-4V	≤1.5A	15W	内置MOS	最大95%	固定频率140K	浮地架构
OC5808L	ESOP8	8～100V	≤Vi-4V	≤1.5A	15W	内置MOS	最大95%	固定频率140K	浮地架构
OC5862	ESOP8	5.5～60V	≤Vi-2V	≤0.8A	14W	内置MOS	最大93%	可调频率最大1MHZ	实地架构
OC5864	SOT23-6	5.5～60V	≤Vi-2V	≤0.6A	8W	内置MOS	最大93%	固定频率500KHZ	实地架构
OC5823	SOP8	5.5～60V	≤Vi-1V	≤5A	40W	外置MOS	最大95%	可调频率/默认140K	实地架构
OC5818	SOP8	5.5～30V	≤Vi-1V	≤2.5A	30W	内置MOS	最大94%	可调频率/默认140K	实地架构
OC5820	SOP8	5.5～40V	≤Vi-1V	≤2.5A	30W	内置MOS	最大94%	可调频率/默认140K	实地架构
OC5822	SOP8	5.5～60V	≤Vi-1V	≤1.5A	18W	内置MOS	最大94%	可调频率/默认140K	实地架构
OC5840	ESOP8	4.5～35V	≤Vi-0.6V	≤3.0A	30W	同步/内置MOS	最大96%	可调频率/默认330K	实地架构
OC5816	SOT23-6	3.5～18V	≤Vi-0.6V	≤2.0A	12W	同步/内置MOS	最大96%	固定频率600K	实地架构